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Descripción

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IRFZ 44N

Encapsulado: TO220

Tipo de transistor: MOSFET de potencia

Polaridad de canal: Canal N

Voltaje Maximo Drenaje-Fuente: 55 V

Corriente de Drenaje Continua: 49 A

Resistencia de activacion: 17.5 mOhm

Voltaje de compuerta a fuente: mas menos 20 V

Voltaje Umbral de Compuerta: 2.0 V a 4.0 V

Disipacion de Potencia Maxima: 94 W

Encapsulado: TO-220

Tipo de montaje: THT Pasante

Temperatura de operacion: -55C a 175C